一零中文

第190章 情绪点兑换 大规模集成电路基础原理与设计工具（第2页）

“第三阶段（1971-1973）：实现大规模集成电路（lsi），集成度1000-10000个电晶体。”

“第四阶段（1974-1975）：探索超大规模集成电路（vlsi），集成度突破一万电晶体。”

然后，他列出了每个阶段需要突破的关键技术：光刻精度提升、薄膜沉积工艺、离子注入设备、测试封装技术……

写到这里，他停下笔。

光刻机。这是最大的瓶颈。东方电子现在用的瑞士光刻机，最多只能做到10微米的线宽，而要实现大规模集成电路，需要至少3微米。

系统兑换清单里有“全自动光刻机设计图纸”，但要一百八十万点，他现在只剩一百三十多万。而且就算换了，以香港甚至內地的工业基础，也造不出来。

必须分步走。

王恪继续写：“近期目標：在现有光刻机基础上，通过光学系统改进和光刻胶配方优化，將线宽从10微米缩小到5微米。技术路径：……”

这一写，就是一整天。

中午傻柱来送饭，看到他满桌的图纸，嚇了一跳：“王哥，您这是……”

“画点东西。”王恪头也不抬，“放那儿吧。”

“您得吃啊！”

“等会儿。”

结果等到晚上，饭都凉了，王恪才想起来吃。菜是回锅肉和炒青菜，凉了有点腻，但他吃得很快，吃完继续写。

晚上九点，第一部分的“设计方法与计算表格”完成了。

这是一套完整的手工设计流程：如何用布尔代数简化逻辑电路，如何用卡诺图优化布局，如何计算布线延迟，如何设计时钟同步……

虽然繁琐，但可行。在计算机辅助设计普及之前，晶片设计大师们就是这样工作的。

王恪看著厚厚一沓图纸和表格，揉了揉发酸的手腕。

这只是第一部分。还有更难的：工艺製程的详细参数。

第二天，他继续。

这次写的是“硅晶圆製备工艺改进方案”：如何提高纯度，如何控制晶向，如何切割拋光……每一道工序都有具体的温度、压力、时间参数，还有常见问题及解决方法。

写到“光刻工艺”时，他特別详细。这是集成电路製造的核心，也是东方电子现在最薄弱的环节。

“光刻胶的感光特性曲线……曝光剂量的精確控制……显影时间的温度补偿……对准精度的机械结构改进……”

他画了一张又一张示意图，標註了尺寸和公差。

第三天，他开始整理“测试与封装”部分。

晶片做出来了，怎么测试性能？怎么封装保护？怎么与外部电路连接？

这些看似简单的环节，其实技术含量很高。一个封装不良，可能让几百道工序前功尽弃。

第四天，8月19日，所有资料整理完毕。

一共四个部分：发展路线图、设计方法与表格、工艺製程参数、测试封装技术。总计三百多页手稿，两百多张图纸。

王恪看著这些凝聚了三天心血的资料，长长舒了口气。

现在的问题是：怎么送到香港？

秘密通道还处於关闭状態。直接邮寄太危险。派人送？谁合適？

正想著，敲门声响起。

“王工，有您的信。”是警卫员老张，“加急掛號信，从广州来的。”

王恪接过信，拆开。信纸只有一行字：

“表哥：姑母病重，速来港见最后一面。家明”